PJA3412-AU_R1_000A1 Panjit International Inc.
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Technische Details PJA3412-AU_R1_000A1 Panjit International Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 16.4A; 1.25W; SOT23, Application: automotive industry, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Case: SOT23, Gate charge: 4.6nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 95mΩ, Pulsed drain current: 16.4A, Type of transistor: N-MOSFET, Drain current: 4.1A, Drain-source voltage: 20V, Power dissipation: 1.25W, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.
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PJA3412-AU_R1_000A1 | Hersteller : PanJit Semiconductor |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 16.4A; 1.25W; SOT23 Application: automotive industry Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Case: SOT23 Gate charge: 4.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 95mΩ Pulsed drain current: 16.4A Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 4.1A Drain-source voltage: 20V Power dissipation: 1.25W Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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PJA3412-AU_R1_000A1 | Hersteller : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 16.4A; 1.25W; SOT23 Application: automotive industry Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Case: SOT23 Gate charge: 4.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 95mΩ Pulsed drain current: 16.4A Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 4.1A Drain-source voltage: 20V Power dissipation: 1.25W |
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PJA3412-AU_R1_000A1 | Hersteller : Panjit International Inc. |
Description: SOT-23, MOSFET |
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PJA3412-AU_R1_000A1 | Hersteller : Panjit |
MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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