PHP191NQ06LT,127 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7665 pF @ 25 V
auf Bestellung 2205 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4+ | 5.07 EUR |
| 10+ | 4.26 EUR |
| 100+ | 3.45 EUR |
| 500+ | 3.06 EUR |
| 1000+ | 2.62 EUR |
| 2000+ | 2.47 EUR |
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Technische Details PHP191NQ06LT,127 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PHP191NQ06LT,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PHP191NQ06LT,127 nach Preis ab 2.5 EUR bis 5.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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PHP191NQ06LT,127 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PHP191NQ06LT/SOT78/SIL3P |
auf Bestellung 767 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PHP191NQ06LT,127 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PHP191NQ06LT,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2161 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PHP191NQ06LT,127 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; Idm: 240A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 75A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 300W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 95.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PHP191NQ06LT,127 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PHP191NQ06LT,127 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; Idm: 240A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 75A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 300W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 95.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |