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Technische Details PESD3V3Z1BCSFYL Nexperia
Description: TVS DIODE 3.3VWM 4.8VC DSN0603-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 0201 (0603 Metric), Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Applications: General Purpose, Capacitance @ Frequency: 0.45pF @ 1MHz, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15A (8/20µs), Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max), Supplier Device Package: DSN0603-2, Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 6.8V (Typ), Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 4.8V (Typ), Power Line Protection: No, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote PESD3V3Z1BCSFYL nach Preis ab 0.065 EUR bis 0.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PESD3V3Z1BCSFYL | Hersteller : Nexperia |
 ESD Suppressor TVS Bi-Dir 3.3V 2-Pin DSN T/R |
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PESD3V3Z1BCSFYL | Hersteller : Nexperia |
ESD Suppressor TVS Bi-Dir 3.3V 2-Pin DSN T/R |
auf Bestellung 4021 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PESD3V3Z1BCSFYL | Hersteller : Nexperia |
ESD Suppressor TVS Bi-Dir 3.3V 2-Pin DSN T/R |
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PESD3V3Z1BCSFYL | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TVS DIODE 3.3VWM 4.8VC DSN0603-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0201 (0603 Metric) Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 0.45pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max) Supplier Device Package: DSN0603-2 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 6.8V (Typ) Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 4.8V (Typ) Power Line Protection: No Part Status: Active |
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PESD3V3Z1BCSFYL | Hersteller : Nexperia |
PESD3V3Z1BCSF/SOD962/SOD962 |
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PESD3V3Z1BCSFYL | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD3V3Z1BCSFYL - ESD-Schutzbaustein, SOD-962, 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-962 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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PESD3V3Z1BCSFYL | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD3V3Z1BCSFYL - ESD-Schutzbaustein, SOD-962, 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-962 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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PESD3V3Z1BCSFYL | Hersteller : NEXPERIA |
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 3.3V 4.8Vc 2-Pin DSN T/R |
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PESD3V3Z1BCSFYL | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Bidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 6.8V; 15A; bidirectional; DSN0603-2,SOD962-2 Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 3.3V Breakdown voltage: 6.8V Max. forward impulse current: 15A Semiconductor structure: bidirectional Case: DSN0603-2; SOD962-2 Mounting: SMD Leakage current: 50nA Features of semiconductor devices: ESD protection Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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PESD3V3Z1BCSFYL | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TVS DIODE 3.3VWM 4.8VC DSN0603-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0201 (0603 Metric) Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 0.45pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max) Supplier Device Package: DSN0603-2 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 6.8V (Typ) Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 4.8V (Typ) Power Line Protection: No Part Status: Active |
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PESD3V3Z1BCSFYL | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Bidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 6.8V; 15A; bidirectional; DSN0603-2,SOD962-2 Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 3.3V Breakdown voltage: 6.8V Max. forward impulse current: 15A Semiconductor structure: bidirectional Case: DSN0603-2; SOD962-2 Mounting: SMD Leakage current: 50nA Features of semiconductor devices: ESD protection |
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