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PEMB9,315 Nexperia
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Bipolar Transistors - Pre-Biased NRND for Automotive Applications PEMB9/SOT666/SOT6
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 0.82 EUR |
10+ | 0.62 EUR |
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2500+ | 0.17 EUR |
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Technische Details PEMB9,315 Nexperia
Description: NEXPERIA - PEMB9,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-666, Produktpalette: PEMB9 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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PEMB9,315 | Hersteller : NXP |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 594000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PEMB9,315 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-666 Produktpalette: PEMB9 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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PEMB9,315 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SOT666; R1: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT666 Kind of package: reel; tape Current gain: 100 Collector-emitter voltage: 50V Power dissipation: 0.3W Polarisation: bipolar Frequency: 180MHz Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Collector current: 0.1A Base-emitter resistor: 47kΩ Type of transistor: PNP x2 Anzahl je Verpackung: 8000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PEMB9,315 | Hersteller : NXP Semiconductors |
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PEMB9,315 | Hersteller : NXP Semiconductors |
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PEMB9,315 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SOT666; R1: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT666 Kind of package: reel; tape Current gain: 100 Collector-emitter voltage: 50V Power dissipation: 0.3W Polarisation: bipolar Frequency: 180MHz Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Collector current: 0.1A Base-emitter resistor: 47kΩ Type of transistor: PNP x2 |
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