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PDTC143EQAZ

PDTC143EQAZ NXP Semiconductors

PDTC143_114_124_144EQA_SER.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
Description: TRANS PREBIAS 50V 100MA
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Technische Details PDTC143EQAZ NXP Semiconductors

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 280 mW, Frequency - Transition: 230 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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PDTC143EQAZ PDTC143EQAZ Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC143_114_124_144EQA_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 280 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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PDTC143EQAZ PDTC143EQAZ Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC143_114_124_144EQA_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 280 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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PDTC143EQAZ PDTC143EQAZ Hersteller : Nexperia PDTC143_114_124_144EQA_SER-1544666.pdf Digital Transistors PDTC143EQA/SOT1215/DFN1010D-3
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PDTC143EQAZ Hersteller : NEXPERIA PDTC143_114_124_144EQA_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDTC143EQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
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PDTC143EQAZ PDTC143EQAZ Hersteller : NEXPERIA 2120658248902494pdtc143_114_124_144eqa_ser.pdfcidbrand_nxpdatafe.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 440mW Automotive 3-Pin DFN-D EP
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