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PDTC123YU,115

PDTC123YU,115 Nexperia

pdtc123y_ser.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details PDTC123YU,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTC123YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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PDTC123YU,115 PDTC123YU,115 Hersteller : Nexperia pdtc123y_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
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PDTC123YU,115 PDTC123YU,115 Hersteller : Nexperia pdtc123y_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
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PDTC123YU,115 PDTC123YU,115 Hersteller : NEXPERIA PDTC123Y_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 35
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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1153+ 0.062 EUR
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PDTC123YU,115 PDTC123YU,115 Hersteller : NEXPERIA PDTC123Y_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 35
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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PDTC123YU,115 PDTC123YU,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC123Y_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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PDTC123YU,115 PDTC123YU,115 Hersteller : Nexperia PDTC123Y_SER-2393894.pdf Digital Transistors PDTC123YU/SOT323/SC-70
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PDTC123YU,115 PDTC123YU,115 Hersteller : NEXPERIA PHGLS20156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTC123YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PDTC123YU,115 PDTC123YU,115 Hersteller : NEXPERIA PHGLS20156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTC123YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PDTC123YU,115 PDTC123YU,115 Hersteller : NEXPERIA 14367870849192pdtc123y_ser.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_p.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
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PDTC123YU,115 PDTC123YU,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC123Y_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q100
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