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PDTC123YTR

PDTC123YTR Nexperia

PDTC123YT-3162205.pdf Hersteller: Nexperia
Digital Transistors PDTC123YT/SOT23/TO-236AB
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Technische Details PDTC123YTR Nexperia

Description: PDTC123YT/SOT23/TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

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PDTC123YTR Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC123Y_SER.pdf Description: PDTC123YT/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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PDTC123YTR Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC123Y_SER.pdf Description: PDTC123YT/SOT23/TO-236AB
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Transistor Type: NPN - Pre-Biased
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PDTC123YTR PDTC123YTR Hersteller : Nexperia pdtc123y_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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