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PDTC114YT,215
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PDTC114YT,215 NEXPERIA

PDTC114YT.pdf Hersteller: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 230MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 5898 Stücke:
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Technische Details PDTC114YT,215 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PDTC114YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTC114Y Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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PDTC114YT,215
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 		PDTC114YT,215 Hersteller : NEXPERIA PDTC114YT.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 230MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
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PDTC114YT,215 PDTC114YT,215 Hersteller : Nexperia pdtc114yt.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC114YT,215 PDTC114YT,215 Hersteller : Nexperia pdtc114yt.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC114YT,215 PDTC114YT,215 Hersteller : Nexperia pdtc114yt.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC114YT,215 PDTC114YT,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC114YT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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72+0.25 EUR
121+ 0.15 EUR
196+ 0.09 EUR
500+ 0.065 EUR
1000+ 0.057 EUR
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PDTC114YT,215 PDTC114YT,215 Hersteller : Nexperia PDTC114YT-3196878.pdf Digital Transistors PDTC114YT/SOT23/TO-236AB
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11+0.26 EUR
18+ 0.16 EUR
100+ 0.067 EUR
1000+ 0.048 EUR
3000+ 0.026 EUR
9000+ 0.025 EUR
24000+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 11
PDTC114YT,215 PDTC114YT,215 Hersteller : NEXPERIA 1511859.pdf Description: NEXPERIA - PDTC114YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC114Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 17111 Stücke:
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PDTC114YT,215 PDTC114YT,215 Hersteller : NEXPERIA 1511859.pdf Description: NEXPERIA - PDTC114YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC114Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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PDTC114YT,215 PDTC114YT,215 Hersteller : Nexperia pdtc114yt.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC114YT,215 PDTC114YT,215 Hersteller : Nexperia pdtc114yt.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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PDTC114YT,215 PDTC114YT,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0006011466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTC114YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC114Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6000 Stücke:
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PDTC114YT,215 PDTC114YT,215 Hersteller : NEXPERIA pdtc114y_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 87000 Stücke:
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PDTC114YT,215 Hersteller : NXP/Nexperia/We-En PDTC114YT.pdf Транзистор цифровий smd; Структура = NPN; Uceo, В = 50; Ic, А = 0,1; hFE = 100 @ 5 мA, 5 В; Icutoff-max = 1 мкА; Ptot, Вт = 0,25; R1, кОм = 10; R2, кОм = 47; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,1 @ 250 мкA, 5 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-23-3
auf Bestellung 14 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
14+0.42 EUR
100+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 14
PDTC114YT,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS24123-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - PDTC114YT,215 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PDTC114YT,215 PDTC114YT,215 Hersteller : Nexperia pdtc114yt.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC114YT,215 PDTC114YT,215 Hersteller : Nexperia pdtc114yt.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
PDTC114YT,215 PDTC114YT,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC114YT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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