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PDTB123YT-QR NEXPERIA


pdtb123yt-q.pdf Hersteller: NEXPERIA
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PDTB123YT-QR NEXPERIA

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
PDTB123YT-QR PDTB123YT-QR Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTB123YT-Q.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
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PDTB123YT-QR PDTB123YT-QR Hersteller : Nexperia PDTB123YT_Q-2938442.pdf Digital Transistors PDTB123YT-Q/SOT23/TO-236AB
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PDTB123YT-QR Hersteller : NEXPERIA PDTB123YT-Q.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
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