Produkte > NEXPERIA > PDTA114ET,215
PDTA114ET,215

PDTA114ET,215 Nexperia


pdta114et.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12539 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8403+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 8403
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details PDTA114ET,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTA114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTA114E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote PDTA114ET,215 nach Preis ab 0.021 EUR bis 0.26 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Hersteller : Nexperia pdta114et.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8403+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 8403
PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA114ET.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.045 EUR
6000+ 0.042 EUR
9000+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTA114ET.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4575 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
550+0.13 EUR
926+ 0.077 EUR
1214+ 0.059 EUR
1359+ 0.053 EUR
1525+ 0.047 EUR
1806+ 0.04 EUR
3183+ 0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 550
PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTA114ET.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 4575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
550+0.13 EUR
926+ 0.077 EUR
1214+ 0.059 EUR
1359+ 0.053 EUR
1525+ 0.047 EUR
1806+ 0.04 EUR
3183+ 0.022 EUR
3368+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 550
PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Hersteller : Nexperia PDTA114ET-3103939.pdf Digital Transistors PDTA114ET/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 54503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+0.21 EUR
20+ 0.15 EUR
100+ 0.079 EUR
1000+ 0.042 EUR
3000+ 0.03 EUR
9000+ 0.023 EUR
24000+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 14
PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA114ET.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 22382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
67+0.26 EUR
97+ 0.18 EUR
178+ 0.099 EUR
500+ 0.078 EUR
1000+ 0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 67
PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTA114E_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDTA114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTA114E_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDTA114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PDTA114ET,215 Hersteller : NXP PDTA114ET.pdf Transistor PNP; 30; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: PDTA114ET,235 (10K/RL); PDTA114ET,215 (3K/RL); PDTA114ET/DG/B2; PDTA114ET/DG/B4,21; PDTA114ET,215 TPDTA114et
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
PDTA114ET,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS24115-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - PDTA114ET,215 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PDTA114ET.215
Produktcode: 133123
pdta114et.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 180 MHz
U, V: 50 V
U, V: 50 V
I, А: 0,1 A
Produkt ist nicht verfügbar
PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Hersteller : Nexperia pdta114et.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Hersteller : NEXPERIA pdta114et.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar