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PCDP1065GB_T0_00601

PCDP1065GB_T0_00601 Panjit

PCDP1065GB-3162037.pdf Hersteller: Panjit
Schottky Diodes & Rectifiers 650V SiC Schottky Barrier Diode
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Technische Details PCDP1065GB_T0_00601 Panjit

Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 446pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.

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PCDP1065GB_T0_00601 PCDP1065GB_T0_00601 Hersteller : Panjit International Inc. PCDP1065GB.pdf Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 446pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
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