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PCDP05120G1_T0_00001

PCDP05120G1_T0_00001 Panjit


PCDP05120G1-1957712.pdf Hersteller: Panjit
SiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode
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Technische Details PCDP05120G1_T0_00001 Panjit

Description: TO-220AC, SIC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 252pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V.

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PCDP05120G1_T0_00001 PCDP05120G1_T0_00001 Hersteller : Panjit International Inc. PCDP05120G1.pdf Description: TO-220AC, SIC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 252pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
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