PBSS5580PA,115 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 4A 3HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.1 W
Description: TRANS PNP 80V 4A 3HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.1 W
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3000+ | 0.23 EUR |
6000+ | 0.22 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PBSS5580PA,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: HUSON, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PBSS5580PA,115 nach Preis ab 0.2 EUR bis 0.87 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PBSS5580PA,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 4A 3HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.1 W |
auf Bestellung 10437 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
PBSS5580PA,115 | Hersteller : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5580PA/SOT1061/HUSON3 |
auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
PBSS5580PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: HUSON Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
PBSS5580PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: HUSON Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
PBSS5580PA,115 | Hersteller : NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
PBSS5580PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; DFN2020-3,SOT1061 Polarisation: bipolar Case: DFN2020-3; SOT1061 Mounting: SMD Frequency: 110MHz Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 70...265 Collector current: 4A Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
PBSS5580PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; DFN2020-3,SOT1061 Polarisation: bipolar Case: DFN2020-3; SOT1061 Mounting: SMD Frequency: 110MHz Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 70...265 Collector current: 4A Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape |
Produkt ist nicht verfügbar |