PBSS4230PANP,115 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PBSS4230PANP - SMAL
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
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Technische Details PBSS4230PANP,115 NXP USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 510 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 510W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A, Übergangsfrequenz, PNP: 95MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 510W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PBSS4230PANP,115 nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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PBSS4230PANP,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 2A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4230PANP,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 2A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4230PANP,115 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS4230PANP/SOT1118/HUSON6 |
auf Bestellung 3649 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PBSS4230PANP,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
auf Bestellung 2702 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PBSS4230PANP,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 510 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 510W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A Übergangsfrequenz, PNP: 95MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4230PANP,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 510 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 510W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A Übergangsfrequenz, PNP: 95MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4230PANP,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 2A 2000mW Automotive 6-Pin HUSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBSS4230PANP,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 2A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBSS4230PANP,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
Produkt ist nicht verfügbar |