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PBSS4220V,115

PBSS4220V,115 NXP Semiconductors

PHGLS19896-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PBSS4220V - SMALL SIGNA
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 210MHz
Supplier Device Package: SOT-666
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 900 mW
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Technische Details PBSS4220V,115 NXP Semiconductors

Description: NEXPERIA PBSS4220V - SMALL SIGNA, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 210MHz, Supplier Device Package: SOT-666, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 900 mW.

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PBSS4220V,115 PBSS4220V,115 Hersteller : NXP USA Inc. PHGLS19896-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NOW NEXPERIA PBSS4220V - SMALL S
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 210MHz
Supplier Device Package: SOT-666
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 900 mW
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PBSS4220V,115 PBSS4220V,115 Hersteller : Nexperia PBSS4220V-1320212.pdf Bipolar Transistors - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS
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