PBSS301NX,115 Nexperia
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Technische Details PBSS301NX,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS301NX,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 5.3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5.3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PBSS301NX,115 nach Preis ab 0.33 EUR bis 0.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PBSS301NX,115 | Hersteller : NXP USA Inc. |
 Description: NOW NEXPERIA PBSS301NX - SMALL SPackaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 265mA, 5.3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-89 Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 2.1 W |
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PBSS301NX,115 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS301NX/SOT89/MPT3 |
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PBSS301NX,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 12V 5.3A SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 265mA, 5.3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 2.1 W |
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PBSS301NX,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS301NX,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 5.3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5.3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| PBSS301NX,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
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PBSS301NX,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 12V 5.3A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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PBSS301NX,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 12V 5.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBSS301NX,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 12V 5.3A SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 265mA, 5.3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 2.1 W |
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