P6SMB200CAHM4G Taiwan Semiconductor
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Technische Details P6SMB200CAHM4G Taiwan Semiconductor
Category: Bidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 600W; 200V; 2.2A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape, Mounting: SMD, Case: SMB, Kind of package: reel; tape, Max. forward impulse current: 2.2A, Breakdown voltage: 200V, Leakage current: 1µA, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.6kW, Tolerance: ±5%, Max. off-state voltage: 171V, Semiconductor structure: bidirectional, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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P6SMB200CAHM4G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 200V; 2.2A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape Mounting: SMD Case: SMB Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 2.2A Breakdown voltage: 200V Leakage current: 1µA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 171V Semiconductor structure: bidirectional Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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P6SMB200CAHM4G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
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P6SMB200CAHM4G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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P6SMB200CAHM4G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 200V; 2.2A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape Mounting: SMD Case: SMB Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 2.2A Breakdown voltage: 200V Leakage current: 1µA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 171V Semiconductor structure: bidirectional |
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