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P4SMA30A M2G Taiwan Semiconductor
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Technische Details P4SMA30A M2G Taiwan Semiconductor
Category: Unidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 400W; 30V; 10A; unidirectional; ±5%; SMA; reel,tape, Max. off-state voltage: 25.6V, Max. forward impulse current: 10A, Case: SMA, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Breakdown voltage: 30V, Leakage current: 1µA, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.4kW, Tolerance: ±5%, Semiconductor structure: unidirectional, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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P4SMA30A M2G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: TVS; 400W; 30V; 10A; unidirectional; ±5%; SMA; reel,tape Max. off-state voltage: 25.6V Max. forward impulse current: 10A Case: SMA Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Breakdown voltage: 30V Leakage current: 1µA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Tolerance: ±5% Semiconductor structure: unidirectional Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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P4SMA30A M2G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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P4SMA30A M2G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: TVS; 400W; 30V; 10A; unidirectional; ±5%; SMA; reel,tape Max. off-state voltage: 25.6V Max. forward impulse current: 10A Case: SMA Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Breakdown voltage: 30V Leakage current: 1µA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Tolerance: ±5% Semiconductor structure: unidirectional |
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