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Technische Details P1000M Diotec Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1000V 10A P600, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: P600, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: P600, Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
Weitere Produktangebote P1000M nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.6 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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P1000M | Hersteller : Diotec Semiconductor |
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P1000M | Hersteller : Diotec Semiconductor |
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P1000M | Hersteller : Diotec Semiconductor |
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P1000M | Hersteller : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: P600, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: P600 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
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P1000M | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 10A; Ammo Pack; Ifsm: 400A; P600; 1.5us Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 0.4kA Case: P600 Max. forward voltage: 1.05V Max. load current: 80A Leakage current: 10µA Reverse recovery time: 1.5µs |
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P1000M | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 10A; Ammo Pack; Ifsm: 400A; P600; 1.5us Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 0.4kA Case: P600 Max. forward voltage: 1.05V Max. load current: 80A Leakage current: 10µA Reverse recovery time: 1.5µs Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 11630 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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P1000M | Hersteller : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: P600, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: P600 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
auf Bestellung 1732 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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P1000M | Hersteller : Diotec Semiconductor |
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auf Bestellung 424 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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P1000M | Hersteller : Diotec Semiconductor |
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auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P1000M | Hersteller : Diotec Semiconductor |
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auf Bestellung 109 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P1000M |
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auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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P1000M-DIO Produktcode: 107350 |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden |
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P1000M | Hersteller : Diotec Semiconductor |
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P1000M | Hersteller : Diotec Semiconductor |
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P1000M | Hersteller : Semikron |
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P1000M | Hersteller : SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 10A; Ø8x7,5mm Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Forward voltage at If: 0.9V Load current: 10A Case: Ø8x7,5mm |
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