NXPSC08650BJ WEEN SEMICONDUCTORS
Hersteller: WEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC08650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: -nC
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Diodenmontage: Oberflächenmontage
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Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
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Technische Details NXPSC08650BJ WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC08650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: -nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| NXPSC08650BJ | Hersteller : NXP Semiconductors |
NXPSC08650BJ |
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NXPSC08650BJ | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V |
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NXPSC08650BJ | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650B/D2PAK/STANDARD M |
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