NXH80T120L3Q0S3G onsemi
Hersteller: onsemi
IGBT Modules Power Integrated Module (PIM), T-Type NPC 1200 V, 80 A IGBT, 600 V, 50 A IGBT Solder pins
IGBT Modules Power Integrated Module (PIM), T-Type NPC 1200 V, 80 A IGBT, 600 V, 50 A IGBT Solder pins
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 101-105 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 131.77 EUR |
10+ | 119.4 EUR |
24+ | 115.3 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NXH80T120L3Q0S3G onsemi
Description: ONSEMI - NXH80T120L3Q0S3G - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 75 A, 1.7 V, 188 W, 175 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 75A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötstift, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 188W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 75A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NXH80T120L3Q0S3G
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
NXH80T120L3Q0S3G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH80T120L3Q0S3G - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 75 A, 1.7 V, 188 W, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 75A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötstift Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 188W euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
NXH80T120L3Q0S3G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A/75A/50A/50A 188W Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
NXH80T120L3Q0S3G | Hersteller : onsemi |
Description: PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5) IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 188 W Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.15 nF @ 20 V |
Produkt ist nicht verfügbar |