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Technische Details NX3008PBKV,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - NX3008PBKV,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 330mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 330mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NX3008PBKV,115 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.65 EUR
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Verfügbarkeit |
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NX3008PBKV,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 30V 0.22A 6-Pin SOT-666 T/R |
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NX3008PBKV,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.22A SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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NX3008PBKV,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET NRND for Automotive Applications NX3008PBKV/SOT666/SOT6 |
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NX3008PBKV,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.22A SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Qualification: AEC-Q101 |
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NX3008PBKV,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3008PBKV,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm Verlustleistung, p-Kanal: 330mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 330mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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NX3008PBKV,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.22A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R |
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NX3008PBKV,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.22A 6-Pin SOT-666 T/R |
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NX3008PBKV,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.22A; 330mW; SOT666 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.22A Power dissipation: 0.33W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 4.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NX3008PBKV,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.22A; 330mW; SOT666 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.22A Power dissipation: 0.33W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 4.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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