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NVTFS9D6P04M8LTAG

NVTFS9D6P04M8LTAG onsemi

NVTFS9D6P04M8L_D-2319682.pdf Hersteller: onsemi
MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
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Technische Details NVTFS9D6P04M8LTAG onsemi

Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG Hersteller : ONSEMI 2913031.pdf Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Kanaltyp: p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG Hersteller : ONSEMI 2913031.pdf Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Kanaltyp: p-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG Hersteller : onsemi nvtfs9d6p04m8l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
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NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG Hersteller : onsemi nvtfs9d6p04m8l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
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