NVMYS025N06CLTWG onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
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| 6000+ | 0.53 EUR |
| 9000+ | 0.49 EUR |
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Technische Details NVMYS025N06CLTWG onsemi
Description: ONSEMI - NVMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0229 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 24W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24W, Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0229ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NVMYS025N06CLTWG nach Preis ab 0.53 EUR bis 1.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NVMYS025N06CLTWG | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 60V 30Ohm 20A Single N-Channel |
auf Bestellung 5539 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMYS025N06CLTWG | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 14690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMYS025N06CLTWG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0229 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVMYS025N06CLTWG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0229 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 24W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0229ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMYS025N06CLTWG | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| NVMYS025N06CLTWG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 8.5A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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