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Technische Details NVMFS6H818NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 123A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NVMFS6H818NT1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NVMFS6H818NT1G | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NVMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0031 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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NVMFS6H818NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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| NVMFS6H818NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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| NVMFS6H818NT1G | Hersteller : On Semiconductor |
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80 |
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| NVMFS6H818NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 87A; Idm: 900A; 68W; DFN5 Mounting: SMD Drain current: 87A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: DFN5 On-state resistance: 3.7mΩ Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 68W Gate charge: 46nC Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke |
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NVMFS6H818NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN |
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NVMFS6H818NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN |
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NVMFS6H818NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80 |
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| NVMFS6H818NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 87A; Idm: 900A; 68W; DFN5 Mounting: SMD Drain current: 87A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: DFN5 On-state resistance: 3.7mΩ Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 68W Gate charge: 46nC Polarisation: unipolar |
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