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Technische Details NVMFS6H801NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - MOSFET, N-CH, 80V, 157A, 175DEG C, 166W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 0, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 0, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 0, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0, directShipCharge: 25, SVHC: Lead.
Weitere Produktangebote NVMFS6H801NT1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NVMFS6H801NT1G | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - MOSFET, N-CH, 80V, 157A, 175DEG C, 166WtariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 0 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
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| NVMFS6H801NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NVMFS6H801NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN |
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NVMFS6H801NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN |
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