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NVMFS5C442NLAFT1G

NVMFS5C442NLAFT1G onsemi

NVMFS5C442NL_D-2319665.pdf Hersteller: onsemi
MOSFET T6 40V S08FL
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Technische Details NVMFS5C442NLAFT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVMFS5C442NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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NVMFS5C442NLAFT1G NVMFS5C442NLAFT1G Hersteller : ONSEMI 2907477.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C442NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 5Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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NVMFS5C442NLAFT1G NVMFS5C442NLAFT1G Hersteller : ON Semiconductor NVMFS5C442N-D-1022940.pdf MOSFET T6 40V S08FL
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