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Technische Details NVH4L040N65S3F onsemi
Description: ONSEMI - NVH4L040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SuperFET III FRFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0338ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NVH4L040N65S3F nach Preis ab 13.96 EUR bis 22.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NVH4L040N65S3F | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5665 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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NVH4L040N65S3F | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVH4L040N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0338 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SuperFET III FRFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0338ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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NVH4L040N65S3F | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 65A Tube |
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| NVH4L040N65S3F | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 45A Pulsed drain current: 162.5A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| NVH4L040N65S3F | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 45A Pulsed drain current: 162.5A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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