NVE4153NT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 9000+ | 0.24 EUR |
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Technische Details NVE4153NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NVE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 26 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 26V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 915mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.127ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NVE4153NT1G nach Preis ab 0.24 EUR bis 0.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NVE4153NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 13723 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVE4153NT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFET NFET SC89 20V 915MA 230MO |
auf Bestellung 10015 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVE4153NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 26 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 26V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 915mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.127ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVE4153NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A Automotive 3-Pin SC-89 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVE4153NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NVE4153NT1G Produktcode: 183802 |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SC-89 Uds,V: 20 V Idd,A: 0,915 A Rds(on), Ohm: 230 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 110/ |
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