NTUD3169CZT5G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.22A SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 125mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.5pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
auf Bestellung 48000 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
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Technische Details NTUD3169CZT5G onsemi
Description: ONSEMI - NTUD3169CZT5G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 125mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-963, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.75ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 125mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NTUD3169CZT5G nach Preis ab 0.21 EUR bis 0.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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NTUD3169CZT5G | Hersteller : onsemi |
MOSFET 20V Mosfet Complementary |
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NTUD3169CZT5G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.22A SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 125mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.5pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active |
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NTUD3169CZT5G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTUD3169CZT5G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm Verlustleistung, p-Kanal: 125mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.75ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 125mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 20505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTUD3169CZT5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.2A/0.22A 6-Pin SOT-963 T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTUD3169CZT5G | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.16/-0.14A Power dissipation: 0.125W Case: SOT963 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.5/5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 8000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTUD3169CZT5G | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.16/-0.14A Power dissipation: 0.125W Case: SOT963 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.5/5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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