NTTFS5116PLTAG onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1500+ | 0.7 EUR |
3000+ | 0.66 EUR |
7500+ | 0.62 EUR |
10500+ | 0.6 EUR |
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Technische Details NTTFS5116PLTAG onsemi
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.2W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTTFS5116PLTAG nach Preis ab 0.62 EUR bis 1.58 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NTTFS5116PLTAG | Hersteller : onsemi | MOSFETs PFET U8FL 60V |
auf Bestellung 94766 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTTFS5116PLTAG | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V |
auf Bestellung 15997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTTFS5116PLTAG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 7736 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTTFS5116PLTAG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 9619 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTTFS5116PLTAG | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTTFS5116PLTAG | Hersteller : ONSEMI | NTTFS5116PLTAG SMD P channel transistors |
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