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NTTFS4C08NTAG

NTTFS4C08NTAG ON Semiconductor

nttfs4c08n-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
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Technische Details NTTFS4C08NTAG ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V.

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NTTFS4C08NTAG NTTFS4C08NTAG Hersteller : ON Semiconductor nttfs4c08n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4C08NTAG NTTFS4C08NTAG Hersteller : onsemi NTTFS4C08N_D-2319386.pdf MOSFET Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
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NTTFS4C08NTAG NTTFS4C08NTAG Hersteller : onsemi nttfs4c08n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
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NTTFS4C08NTAG NTTFS4C08NTAG Hersteller : ON Semiconductor nttfs4c08n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
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NTTFS4C08NTAG NTTFS4C08NTAG Hersteller : onsemi nttfs4c08n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
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