NTTFS022N15MC onsemi
Hersteller: onsemiDescription: POWER MOSFET, N CHANNEL, 150V, 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
auf Bestellung 3979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4+ | 4.52 EUR |
| 10+ | 3.76 EUR |
| 100+ | 2.99 EUR |
| 500+ | 2.53 EUR |
| 1000+ | 2.15 EUR |
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Technische Details NTTFS022N15MC onsemi
Description: ONSEMI - NTTFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37.2 A, 0.0171 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71.4W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NTTFS022N15MC nach Preis ab 2.01 EUR bis 4.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NTTFS022N15MC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37.2 A, 0.0171 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTTFS022N15MC | Hersteller : onsemi |
MOSFET PTNG 150V 22MOHM, POWERCLIP33 |
auf Bestellung 482 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTTFS022N15MC | Hersteller : onsemi |
Description: POWER MOSFET, N CHANNEL, 150V, 3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 71.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V |
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