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NTS4409NT1G

NTS4409NT1G ON Semiconductor

nts4409n-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.7A 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details NTS4409NT1G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 25V 700MA SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 280mW (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V.

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NTS4409NT1G NTS4409NT1G Hersteller : ON Semiconductor nts4409n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.7A 3-Pin SC-70 T/R
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NTS4409NT1G NTS4409NT1G Hersteller : onsemi nts4409n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 700MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
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NTS4409NT1G NTS4409NT1G Hersteller : ON Semiconductor nts4409n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.7A 3-Pin SC-70 T/R
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NTS4409NT1G NTS4409NT1G Hersteller : ONSEMI NTS4409N.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.75A; 0.28W; SC70,SOT323
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
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NTS4409NT1G NTS4409NT1G Hersteller : ONSEMI NTS4409N.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.75A; 0.28W; SC70,SOT323
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
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NTS4409NT1G NTS4409NT1G Hersteller : ON Semiconductor nts4409n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.7A 3-Pin SC-70 T/R
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NTS4409NT1G NTS4409NT1G Hersteller : onsemi NTS4409N_D-2319102.pdf MOSFET NFET 25V/8V 75mA 350
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NTS4409NT1G NTS4409NT1G Hersteller : onsemi nts4409n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 700MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
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Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
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NTS4409NT1G Hersteller : ON-Semicoductor nts4409n-d.pdf N-MOSFET 25V 0.7A NTS4409NT1G TNTS4409nt1g
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NTS4409NT1G Hersteller : ONSEMI 2160895.pdf Description: ONSEMI - NTS4409NT1G - MOSFET, N, 25V, SOT-323
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
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