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NTR5198NLT1G

NTR5198NLT1G onsemi

ntr5198nl-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 25 V
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Technische Details NTR5198NLT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 25 V.

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NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr5198nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr5198nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G Hersteller : ONSEMI ntr5198nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.6A; 0.6W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 155mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G Hersteller : ONSEMI ntr5198nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.6A; 0.6W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 155mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G Hersteller : onsemi ntr5198nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 25 V
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NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G Hersteller : onsemi NTR5198NL_D-2319294.pdf MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH
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NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G Hersteller : ONSEMI 2354462.pdf Description: ONSEMI - NTR5198NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.107 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr5198nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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