NTR5105PT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 347mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 25 V
auf Bestellung 351000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.1 EUR |
| 6000+ | 0.099 EUR |
| 9000+ | 0.086 EUR |
| 30000+ | 0.084 EUR |
| 75000+ | 0.07 EUR |
| 150000+ | 0.068 EUR |
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Technische Details NTR5105PT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 196mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 347mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NTR5105PT1G nach Preis ab 0.074 EUR bis 0.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NTR5105PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR5105PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR5105PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23 Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.141A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.347W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 1285 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTR5105PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23 Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.141A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.347W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23 |
auf Bestellung 1285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR5105PT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFET PFET SOT23 60V 211MA 5OHM |
auf Bestellung 401796 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTR5105PT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 347mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 25 V |
auf Bestellung 351986 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTR5105PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 196mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 347mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR5105PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 347mW Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5618 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR5105PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 102000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTR5105PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R |
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