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NTR4101PT1G ON Semiconductor

Name: NTR4101PT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 6588127-5
Price: 0.078 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

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Technische Details NTR4101PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 730mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 730mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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NTR4101PT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

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NTR4101PT1G

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NTR4101PT1G

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Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

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NTR4101PT1G

Hersteller : onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V

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NTR4101PT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

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845+	0.17 EUR
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3000+	0.099 EUR
6000+	0.084 EUR
15000+	0.078 EUR
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NTR4101PT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

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NTR4101PT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

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275+	0.56 EUR
356+	0.41 EUR
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828+	0.17 EUR
836+	0.16 EUR
845+	0.15 EUR
1101+	0.11 EUR
3000+	0.091 EUR
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NTR4101PT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

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374+	0.38 EUR
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845+	0.15 EUR
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NTR4101PT1G

Hersteller : onsemi

MOSFET -20V -3.2A P-Channel

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1000+	0.16 EUR
3000+	0.13 EUR

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NTR4101PT1G

Hersteller : onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V

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NTR4101PT1G

Hersteller : ONSEMI

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; 0.21W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Gate charge: 7.5nC
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.7A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.21W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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NTR4101PT1G

Hersteller : ONSEMI

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NTR4101PT1G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 730mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 17711 Stücke:

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NTR4101PT1G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 730mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

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NTR4101PT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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NTR4101PT1G

Hersteller : ON-Semicoductor

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 2,4A; 730mW; -55°C ~ 150°C; NTR4101PT1G TNTR4101p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 300 Stücke:

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Anzahl	Preis ohne MwSt
100+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 100

NTR4101PT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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NTR4101PT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

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NTR4101PT1G
Produktcode: 41668

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