NTMTS1D6N10MCTXG onsemi
Hersteller: onsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 17.32 EUR |
| 10+ | 15.64 EUR |
| 25+ | 14.91 EUR |
| 100+ | 12.37 EUR |
| 250+ | 11.27 EUR |
| 500+ | 10.55 EUR |
| 1000+ | 9.46 EUR |
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Technische Details NTMTS1D6N10MCTXG onsemi
Description: ONSEMI - NTMTS1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.00142 ohm, DFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 273A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 291W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 291W, Bauform - Transistor: DFNW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00142ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote NTMTS1D6N10MCTXG nach Preis ab 9.45 EUR bis 17.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NTMTS1D6N10MCTXG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMTS1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.00142 ohm, DFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 273A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 291W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 291W Bauform - Transistor: DFNW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00142ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMTS1D6N10MCTXG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMTS1D6N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 273 A, 0.00142 ohm, DFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 273A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 291W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 291W Bauform - Transistor: DFNW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00142ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMTS1D6N10MCTXG | Hersteller : onsemi |
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 273A, 1.7mohm, PQFN 8x8 |
auf Bestellung 3072 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMTS1D6N10MCTXG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 36A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMTS1D6N10MCTXG | Hersteller : onsemi |
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 273A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 291W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V |
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