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Technische Details NTMJS0D8N04CLTWG onsemi
Description: ONSEMI - NTMJS0D8N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 368 A, 600 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 368A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NTMJS0D8N04CLTWG
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NTMJS0D8N04CLTWG | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NTMJS0D8N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 368 A, 600 µohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 368A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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NTMJS0D8N04CLTWG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMJS0D8N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 368 A, 600 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 368A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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NTMJS0D8N04CLTWG | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 56A/368A 8LFPAK |
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NTMJS0D8N04CLTWG | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 56A/368A 8LFPAK |
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