Produkte > ONSEMI > NTMFS6H836NT1G
NTMFS6H836NT1G

NTMFS6H836NT1G onsemi


ntmfs6h836n-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V
auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NTMFS6H836NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS6H836NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0056 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 74A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 89W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote NTMFS6H836NT1G nach Preis ab 1.35 EUR bis 3.12 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
NTMFS6H836NT1G NTMFS6H836NT1G Hersteller : onsemi NTMFS6H836N_D-2318986.pdf MOSFET T8 80V SO8FL
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.08 EUR
10+ 2.29 EUR
100+ 2.04 EUR
250+ 1.92 EUR
500+ 1.74 EUR
1000+ 1.47 EUR
1500+ 1.35 EUR
NTMFS6H836NT1G NTMFS6H836NT1G Hersteller : onsemi ntmfs6h836n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+3.12 EUR
10+ 2.59 EUR
100+ 2.06 EUR
500+ 1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NTMFS6H836NT1G NTMFS6H836NT1G Hersteller : ONSEMI 2711428.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H836NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0056 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS6H836NT1G NTMFS6H836NT1G Hersteller : ONSEMI 2711428.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H836NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0056 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS6H836NT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs6h836n-d.pdf
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS6H836NT1G NTMFS6H836NT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs6h836n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS6H836NT1G NTMFS6H836NT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs6h836n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS6H836NT1G NTMFS6H836NT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs6h836n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 15A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar