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NTMFS5C670NLT1G

NTMFS5C670NLT1G onsemi

ntmfs5c670nl-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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Technische Details NTMFS5C670NLT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.

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NTMFS5C670NLT1G NTMFS5C670NLT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs5c670nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R
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NTMFS5C670NLT1G NTMFS5C670NLT1G Hersteller : onsemi NTMFS5C670NL_D-2318860.pdf MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 60V, 68A, 6.7mohm Power MOSFET 60 V, 6.7 m?, 68 A, Single N-Channel
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NTMFS5C670NLT1G NTMFS5C670NLT1G Hersteller : onsemi ntmfs5c670nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc)
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Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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NTMFS5C670NLT1G NTMFS5C670NLT1G Hersteller : ONSEMI NTMFS5C670NL.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 440A; 1.8W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTMFS5C670NLT1G NTMFS5C670NLT1G Hersteller : ONSEMI NTMFS5C670NL.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 440A; 1.8W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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NTMFS5C670NLT1G NTMFS5C670NLT1G Hersteller : ONSEMI 2354968.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5C670NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 0.0051 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
auf Bestellung 11710 Stücke:
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NTMFS5C670NLT1G NTMFS5C670NLT1G Hersteller : ONSEMI 2354968.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5C670NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 0.0051 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
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NTMFS5C670NLT1G NTMFS5C670NLT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs5c670nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NTMFS5C670NLT1G транзистор
Produktcode: 196929 		Transistoren > HF-Transistoren
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