NTMFS5C612NT1G-TE ON Semiconductor
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Technische Details NTMFS5C612NT1G-TE ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 35A/230A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 230A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote NTMFS5C612NT1G-TE nach Preis ab 5.07 EUR bis 8.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTMFS5C612NT1G-TE | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R |
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NTMFS5C612NT1G-TE | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A/230A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 230A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 25 V |
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NTMFS5C612NT1G-TE | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C612NT1G-TE - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 A, 0.0014 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 230A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Anzahl der Pins: 5Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm |
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NTMFS5C612NT1G-TE | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C612NT1G-TE - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 A, 0.0014 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 230A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Anzahl der Pins: 5Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm |
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| NTMFS5C612NT1G-TE | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 35A T/R |
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NTMFS5C612NT1G-TE | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A/230A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 230A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 25 V |
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NTMFS5C612NT1G-TE | Hersteller : onsemi |
MOSFET NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO |
Produkt ist nicht verfügbar |