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NTMFS4D2N10MDT1G

NTMFS4D2N10MDT1G onsemi

NTMFS4D2N10MD_D-2318925.pdf Hersteller: onsemi
MOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 113A, 4.2mohm
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Technische Details NTMFS4D2N10MDT1G onsemi

Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 113A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 46A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 239µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V.

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NTMFS4D2N10MDT1G NTMFS4D2N10MDT1G Hersteller : onsemi ntmfs4d2n10md-d.pdf Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 239µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V
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NTMFS4D2N10MDT1G NTMFS4D2N10MDT1G Hersteller : ONSEMI 3191518.pdf Description: ONSEMI - NTMFS4D2N10MDT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
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NTMFS4D2N10MDT1G NTMFS4D2N10MDT1G Hersteller : ONSEMI 3191518.pdf Description: ONSEMI - NTMFS4D2N10MDT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 132W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
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NTMFS4D2N10MDT1G NTMFS4D2N10MDT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs4d2n10md-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
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NTMFS4D2N10MDT1G NTMFS4D2N10MDT1G Hersteller : onsemi ntmfs4d2n10md-d.pdf Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 239µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V
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