NTJS3157NT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details NTJS3157NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTJS3157NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NTJS3157NT1G nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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NTJS3157NT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFET 20V 4A N-Channel |
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NTJS3157NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V |
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NTJS3157NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTJS3157NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJS3157NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTJS3157NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJS3157NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJS3157NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363 Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.3A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTJS3157NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R |
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NTJS3157NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTJS3157NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363 Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.3A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V |
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