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NTJD1155LT1G ON Semiconductor
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Technische Details NTJD1155LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 400mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTJD1155LT1G nach Preis ab 0.22 EUR bis 0.77 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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NTJD1155LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 84000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJD1155LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTJD1155LT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 400mW Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTJD1155LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJD1155LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 1.3A Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Mounting: SMD Case: SC88 On-state resistance: 130/320mΩ Kind of package: reel; tape Supply voltage: 1.8...8V DC Control voltage: 1.5...8V DC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2578 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTJD1155LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 1.3A Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Mounting: SMD Case: SC88 On-state resistance: 130/320mΩ Kind of package: reel; tape Supply voltage: 1.8...8V DC Control voltage: 1.5...8V DC |
auf Bestellung 2578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJD1155LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 776 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJD1155LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 776 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJD1155LT1G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 149481 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTJD1155LT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 400mW Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
auf Bestellung 93177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTJD1155LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJD1155LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 8010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJD1155LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJD1155LT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTJD1155LT1G | Hersteller : ON | 09+ |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NTJD1155LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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