NTHL095N65S3H onsemi
Hersteller: onsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-247
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Technische Details NTHL095N65S3H onsemi
Description: ONSEMI - NTHL095N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTHL095N65S3H nach Preis ab 6.33 EUR bis 8.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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NTHL095N65S3H | Hersteller : onsemi |
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V |
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NTHL095N65S3H | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL095N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL095N65S3H | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTHL095N65S3H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 30A Tube |
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NTHL095N65S3H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTHL095N65S3H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |