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NTHL082N65S3F ON Semiconductor
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Technische Details NTHL082N65S3F ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTHL082N65S3F - Leistungs-MOSFET, SuperFET®, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-247AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTHL082N65S3F nach Preis ab 8.25 EUR bis 16.74 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTHL082N65S3F | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTHL082N65S3F | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTHL082N65S3F | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTHL082N65S3F | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V |
auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTHL082N65S3F | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 1590 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTHL082N65S3F | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 433 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTHL082N65S3F | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTHL082N65S3F | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25.5A; Idm: 100A; 313W; TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Drain current: 25.5A On-state resistance: 82mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 313W Polarisation: unipolar Gate charge: 81nC Technology: SuperFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 100A Case: TO247 Anzahl je Verpackung: 450 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTHL082N65S3F | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25.5A; Idm: 100A; 313W; TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Drain current: 25.5A On-state resistance: 82mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 313W Polarisation: unipolar Gate charge: 81nC Technology: SuperFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 100A Case: TO247 |
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