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NTHL041N60S5H ON Semiconductor
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Technische Details NTHL041N60S5H ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTHL041N60S5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 57 A, 0.0328 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 329W, Bauform - Transistor: TO-247LL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET V FAST, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTHL041N60S5H nach Preis ab 7.93 EUR bis 17.88 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTHL041N60S5H | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTHL041N60S5H | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 28.5A, 10V Power Dissipation (Max): 329W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.7mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5840 pF @ 400 V |
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NTHL041N60S5H | Hersteller : onsemi |
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NTHL041N60S5H | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 329W Bauform - Transistor: TO-247LL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET V FAST productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTHL041N60S5H | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 36A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 329W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NTHL041N60S5H | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 36A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 329W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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