Produkte > ON SEMICONDUCTOR > NTHL022N120M3S
NTHL022N120M3S

NTHL022N120M3S ON Semiconductor

nthl022n120m3s-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+21.42 EUR
10+ 20 EUR
20+ 18.71 EUR
50+ 17.54 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NTHL022N120M3S ON Semiconductor

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V, Power Dissipation (Max): 352W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 800 V.

Weitere Produktangebote NTHL022N120M3S nach Preis ab 14.94 EUR bis 30.15 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Hersteller : ON Semiconductor nthl022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+22.24 EUR
10+ 19.64 EUR
25+ 18.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Hersteller : ON Semiconductor nthl022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+22.24 EUR
10+ 19.72 EUR
25+ 18.75 EUR
50+ 17.32 EUR
100+ 15.84 EUR
250+ 14.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Hersteller : ON Semiconductor nthl022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+25.13 EUR
60+ 22.73 EUR
120+ 20.77 EUR
180+ 19.12 EUR
Mindestbestellmenge: 30
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Hersteller : onsemi NTHL022N120M3S_D-3150378.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+29.96 EUR
10+ 26.4 EUR
25+ 25.68 EUR
50+ 24.25 EUR
100+ 22.83 EUR
250+ 22.11 EUR
450+ 20.68 EUR
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Hersteller : onsemi nthl022n120m3s-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 800 V
auf Bestellung 1181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+30.15 EUR
10+ 26.57 EUR
450+ 20.83 EUR
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Hersteller : ON Semiconductor nthl022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
Produkt ist nicht verfügbar