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Technische Details NTHL020N090SC1 onsemi
Description: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 118A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 503W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTHL020N090SC1 nach Preis ab 29.98 EUR bis 45.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTHL020N090SC1 | Hersteller : onsemi |
 Description: SICFET N-CH 900V 118A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V Power Dissipation (Max): 503W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V |
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NTHL020N090SC1 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 118A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 503W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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NTHL020N090SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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NTHL020N090SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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NTHL020N090SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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NTHL020N090SC1 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 83A; Idm: 427A; 251W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 83A Pulsed drain current: 427A Power dissipation: 251W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...19V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 196nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NTHL020N090SC1 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 83A; Idm: 427A; 251W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 83A Pulsed drain current: 427A Power dissipation: 251W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...19V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 196nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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